FTD1989 - описание и поиск аналогов

 

FTD1989. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTD1989

Маркировка: DF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: SOT-89

 Аналоги (замена) для FTD1989

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTD1989 даташит

 ..1. Size:100K  first silicon
 ftd1989.pdf pdf_icon

FTD1989

SEMICONDUCTOR FTD1898 TECHNICAL DATA A C H G FTD1898 TRANSISTOR (NPN) FEATURES D D K High Breakdown Voltage and Current F F DIM MILLIMETERS Excellent DC Current Gain Linearity A 4.70 MAX _ + B 2.50 0.20 Complement the FTB1260 C 1.70 MAX 1 2 3 D 0.45+0.15/-0.10 Low Collector-Emitter Saturation Voltage E 4.25 MAX _ + F 1.50 0.10 G 0.40 TYP 1. BASE H 1.7 MA

Другие транзисторы... FMMT413 , FMMT42CSM , FMMT42DCSM , FMMT591CSM , FMMT591DCSM , FMMT617TA , FMMT92CSM , FMMT92DCSM , TIP31C , FTSO2369 , FTSO2369A , FTSO2484 , FTSO3117 , FTSO5769 , FTSO5771 , FZT493A , FZT651Q .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.