Справочник транзисторов. FTD1989

 

Биполярный транзистор FTD1989 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FTD1989
   Маркировка: DF
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 82
   Корпус транзистора: SOT-89
 

 Аналог (замена) для FTD1989

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTD1989 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:100K  first silicon
 ftd1989.pdf pdf_icon

FTD1989

SEMICONDUCTORFTD1898TECHNICAL DATAACHGFTD1898 TRANSISTOR (NPN) FEATURES DDK High Breakdown Voltage and Current F FDIM MILLIMETERS Excellent DC Current Gain Linearity A 4.70 MAX_+B 2.50 0.20 Complement the FTB1260 C 1.70 MAX1 2 3D 0.45+0.15/-0.10 Low Collector-Emitter Saturation Voltage E 4.25 MAX_+F 1.50 0.10G 0.40 TYP1. BASEH 1.7 MA

Другие транзисторы... FMMT413 , FMMT42CSM , FMMT42DCSM , FMMT591CSM , FMMT591DCSM , FMMT617TA , FMMT92CSM , FMMT92DCSM , 100DA025D , FTSO2369 , FTSO2369A , FTSO2484 , FTSO3117 , FTSO5769 , FTSO5771 , FZT493A , FZT651Q .

History: D32S3 | MA0492 | ADY14 | 2SA1013T | ESM5008

 

 
Back to Top

 


 
.