LMSD1819A-RT1G Todos los transistores

 

LMSD1819A-RT1G Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LMSD1819A-RT1G

Código: ZR

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 210

Encapsulados: SOT-323

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LMSD1819A-RT1G datasheet

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LMSD1819A-RT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Amplifier Transistor LMSD1819A-RT1G S-LMSD1819A-RT1G NPN Silicon Surface Mount This NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the 3 SC-70/SOT-323 package which is designed for low power surface mount applications. 1 Features 2 High hFE, 210-460 Low VCE

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History: LS3250A

 

 

 


 
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