LMSD1819A-RT1G Todos los transistores

 

LMSD1819A-RT1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LMSD1819A-RT1G
   Código: ZR
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 210
   Paquete / Cubierta: SOT-323
     - Selección de transistores por parámetros

 

LMSD1819A-RT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  lrc
 lmsd1819a-rt1g.pdf pdf_icon

LMSD1819A-RT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose AmplifierTransistorLMSD1819A-RT1GS-LMSD1819A-RT1GNPN Silicon Surface MountThis NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for generalpurpose amplifier applications. This device is housed in the3SC-70/SOT-323 package which is designed for low power surfacemount applications.1Features2 High hFE, 210-460 Low VCE

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: MJE5850G | HN1B04FE-Y | BSV17-6 | 2SC3181NR | 2SD1291 | 2SC3356S-B | 2N68-13

 

 
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