LMSD1819A-RT1G Todos los transistores

 

LMSD1819A-RT1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LMSD1819A-RT1G
   Código: ZR
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 210
   Paquete / Cubierta: SOT-323
 

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LMSD1819A-RT1G Datasheet (PDF)

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LMSD1819A-RT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose AmplifierTransistorLMSD1819A-RT1GS-LMSD1819A-RT1GNPN Silicon Surface MountThis NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for generalpurpose amplifier applications. This device is housed in the3SC-70/SOT-323 package which is designed for low power surfacemount applications.1Features2 High hFE, 210-460 Low VCE

Otros transistores... LH8050PLT1G , LH8550PLT1G , LJ2015-52 , LMBT6429LT1G , LMBTA06UT1G , LMBTA06WT1G , LMBTA43LT1G , LMBTA56WT1G , S9013 , LS301 , LS302 , LS303 , LS310 , LS311 , LS312 , LS313 , LS3250A .

History: 2N5326 | 2N346 | GS9018F | BTC2411N3G

 

 
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