LMSD1819A-RT1G - описание и поиск аналогов

 

LMSD1819A-RT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LMSD1819A-RT1G

Маркировка: ZR

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 210

Корпус транзистора: SOT-323

 Аналоги (замена) для LMSD1819A-RT1G

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LMSD1819A-RT1G даташит

 ..1. Size:90K  lrc
 lmsd1819a-rt1g.pdf pdf_icon

LMSD1819A-RT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Amplifier Transistor LMSD1819A-RT1G S-LMSD1819A-RT1G NPN Silicon Surface Mount This NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the 3 SC-70/SOT-323 package which is designed for low power surface mount applications. 1 Features 2 High hFE, 210-460 Low VCE

Другие транзисторы... LH8050PLT1G , LH8550PLT1G , LJ2015-52 , LMBT6429LT1G , LMBTA06UT1G , LMBTA06WT1G , LMBTA43LT1G , LMBTA56WT1G , 13005 , LS301 , LS302 , LS303 , LS310 , LS311 , LS312 , LS313 , LS3250A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.