Справочник транзисторов. LMSD1819A-RT1G

 

Биполярный транзистор LMSD1819A-RT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: LMSD1819A-RT1G
   Маркировка: ZR
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 210
   Корпус транзистора: SOT-323
 

 Аналог (замена) для LMSD1819A-RT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LMSD1819A-RT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  lrc
 lmsd1819a-rt1g.pdf pdf_icon

LMSD1819A-RT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose AmplifierTransistorLMSD1819A-RT1GS-LMSD1819A-RT1GNPN Silicon Surface MountThis NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for generalpurpose amplifier applications. This device is housed in the3SC-70/SOT-323 package which is designed for low power surfacemount applications.1Features2 High hFE, 210-460 Low VCE

Другие транзисторы... LH8050PLT1G , LH8550PLT1G , LJ2015-52 , LMBT6429LT1G , LMBTA06UT1G , LMBTA06WT1G , LMBTA43LT1G , LMBTA56WT1G , S9013 , LS301 , LS302 , LS303 , LS310 , LS311 , LS312 , LS313 , LS3250A .

 

 
Back to Top

 


 
.