Биполярный транзистор LMSD1819A-RT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: LMSD1819A-RT1G
Маркировка: ZR
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 210
Корпус транзистора: SOT-323
Аналоги (замена) для LMSD1819A-RT1G
LMSD1819A-RT1G Datasheet (PDF)
..1. Size:90K lrc
lmsd1819a-rt1g.pdf
lmsd1819a-rt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose AmplifierTransistorLMSD1819A-RT1GS-LMSD1819A-RT1GNPN Silicon Surface MountThis NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for generalpurpose amplifier applications. This device is housed in the3SC-70/SOT-323 package which is designed for low power surfacemount applications.1Features2 High hFE, 210-460 Low VCE
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050