Биполярный транзистор LMSD1819A-RT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: LMSD1819A-RT1G
Маркировка: ZR
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 210
Корпус транзистора: SOT-323
Аналоги (замена) для LMSD1819A-RT1G
LMSD1819A-RT1G Datasheet (PDF)
..1. Size:90K lrc
lmsd1819a-rt1g.pdf
lmsd1819a-rt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose AmplifierTransistorLMSD1819A-RT1GS-LMSD1819A-RT1GNPN Silicon Surface MountThis NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for generalpurpose amplifier applications. This device is housed in the3SC-70/SOT-323 package which is designed for low power surfacemount applications.1Features2 High hFE, 210-460 Low VCE
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
