MIMD10A Todos los transistores

 

MIMD10A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MIMD10A
   Código: C73
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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MIMD10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  diodes
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MIMD10A

MIMD10AMIMD10A DUAL PRE-BIASED TRANSISTORS FOR POWER MANAGEMENT Features Epitaxial Planar Die Construction ASOT-363 Built-In Biasing Resistors Dim Min Max C2 B1 E1 One 500mA PNP and One 100mA NPN A 0.10 0.30 Lead Free/RoHS Compliant (Note 1) B C B 1.15 1.35 "Green" Device (Note 3 and 4) C 2.00 2.20 E2 B2 C1D 0.65 Nominal Mechanical Data

Otros transistores... LS3550B , LS3550C , LS358 , LSBTH10T1G , LSSBTH10T1G , M28S-B , M28S-C , M28S-D , 2SC1740 , MJ11012G , MJ11015G , MJ11016G , MJ11021G , MJ11022G , MJ11028G , MJ11032G , MJ11033G .

History: 2N6312 | 2SD898A | 2N3428 | 50C02CH-TL-E | 2N1204A | SK3114A | MJL21196G

 

 
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