MIMD10A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MIMD10A
Código: C73
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN*PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 250 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: SOT-363
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MIMD10A datasheet
mimd10a.pdf
MIMD10A MIMD10A DUAL PRE-BIASED TRANSISTORS FOR POWER MANAGEMENT Features Epitaxial Planar Die Construction A SOT-363 Built-In Biasing Resistors Dim Min Max C2 B1 E1 One 500mA PNP and One 100mA NPN A 0.10 0.30 Lead Free/RoHS Compliant (Note 1) B C B 1.15 1.35 "Green" Device (Note 3 and 4) C 2.00 2.20 E2 B2 C1 D 0.65 Nominal Mechanical Data
Otros transistores... LS3550B , LS3550C , LS358 , LSBTH10T1G , LSSBTH10T1G , M28S-B , M28S-C , M28S-D , TIP32C , MJ11012G , MJ11015G , MJ11016G , MJ11021G , MJ11022G , MJ11028G , MJ11032G , MJ11033G .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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