MIMD10A - описание и поиск аналогов

 

MIMD10A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MIMD10A

Маркировка: C73

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-363

 Аналоги (замена) для MIMD10A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MIMD10A даташит

 ..1. Size:240K  diodes
 mimd10a.pdf pdf_icon

MIMD10A

MIMD10A MIMD10A DUAL PRE-BIASED TRANSISTORS FOR POWER MANAGEMENT Features Epitaxial Planar Die Construction A SOT-363 Built-In Biasing Resistors Dim Min Max C2 B1 E1 One 500mA PNP and One 100mA NPN A 0.10 0.30 Lead Free/RoHS Compliant (Note 1) B C B 1.15 1.35 "Green" Device (Note 3 and 4) C 2.00 2.20 E2 B2 C1 D 0.65 Nominal Mechanical Data

Другие транзисторы: LS3550B, LS3550C, LS358, LSBTH10T1G, LSSBTH10T1G, M28S-B, M28S-C, M28S-D, TIP32C, MJ11012G, MJ11015G, MJ11016G, MJ11021G, MJ11022G, MJ11028G, MJ11032G, MJ11033G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.