Биполярный транзистор MIMD10A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MIMD10A
Маркировка: C73
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-363
MIMD10A Datasheet (PDF)
..1. Size:240K diodes
mimd10a.pdf
mimd10a.pdf
MIMD10AMIMD10A DUAL PRE-BIASED TRANSISTORS FOR POWER MANAGEMENT Features Epitaxial Planar Die Construction ASOT-363 Built-In Biasing Resistors Dim Min Max C2 B1 E1 One 500mA PNP and One 100mA NPN A 0.10 0.30 Lead Free/RoHS Compliant (Note 1) B C B 1.15 1.35 "Green" Device (Note 3 and 4) C 2.00 2.20 E2 B2 C1D 0.65 Nominal Mechanical Data
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050