MMDT8050S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMDT8050S  📄📄 

Código: N24*

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 9 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT-26 SOT-363

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MMDT8050S datasheet

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MMDT8050S

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MMDT8050S Preliminary NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW VCESAT NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC MMDT8050S is a Dual NPN epitaxial planar transistor. It has low VCE(sat) performance, and the transistor elements are independent, eliminating interference. FEATURES * Low VCE(sat), VCE(sat)=40mV (typ.)@IC / IB = 50mA / 2.5mA

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MMDT8050S

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MMDT8150 Preliminary NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW VCESAT NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC MMDT8150 is a Dual NPN epitaxial planar transistor. It has low VCE(SAT) performance and the transistor elements are independent to eliminate interference. FEATURES * Low VCE(SAT), VCE(SAT)=40mV (typ.)@IC / IB = 50mA / 2.5mA *

Otros transistores... MMBTA92-G, MMBTA92LT1G, MMBTH10-4LT1G, MMBTH10LT1G, MMBTH10M3, MMBTH10W, MMDT3904V, MMDT3906V, BD223, MMDT8150, MMDTA06, MMJD2955, MMJD3055, MMJT350T1G, MMS8050-H, MMS8050-L, MMS8550-H