MMDT8150 Todos los transistores

 

MMDT8150 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMDT8150
   Código: T81*
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 180
   Paquete / Cubierta: SOT-26 SOT-363

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MMDT8150 Datasheet (PDF)

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MMDT8150 MMDT8150

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MMDT8150 Preliminary NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW VCESAT NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC MMDT8150 is a Dual NPN epitaxial planar transistor. It has low VCE(SAT) performance and the transistor elements are independent to eliminate interference. FEATURES * Low VCE(SAT), VCE(SAT)=40mV (typ.)@IC / IB = 50mA / 2.5mA *

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MMDT8150 MMDT8150

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MMDT8050S Preliminary NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW VCESAT NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC MMDT8050S is a Dual NPN epitaxial planar transistor. It has low VCE(sat) performance, and the transistor elements are independent, eliminating interference. FEATURES * Low VCE(sat), VCE(sat)=40mV (typ.)@IC / IB = 50mA / 2.5mA

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History: DXT5551 | 2N5333 | UMT4401 | BDS29ASMD | BCX54TC | 2SC4238 | BDS21SM

 

 
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