MMDT8150 Todos los transistores

 

MMDT8150 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMDT8150
   Código: T81*
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 180
   Paquete / Cubierta: SOT-26 SOT-363
 

 Búsqueda de reemplazo de MMDT8150

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MMDT8150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:134K  utc
 mmdt8150.pdf pdf_icon

MMDT8150

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MMDT8150 Preliminary NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW VCESAT NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC MMDT8150 is a Dual NPN epitaxial planar transistor. It has low VCE(SAT) performance and the transistor elements are independent to eliminate interference. FEATURES * Low VCE(SAT), VCE(SAT)=40mV (typ.)@IC / IB = 50mA / 2.5mA *

 9.1. Size:116K  utc
 mmdt8050s.pdf pdf_icon

MMDT8150

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MMDT8050S Preliminary NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW VCESAT NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC MMDT8050S is a Dual NPN epitaxial planar transistor. It has low VCE(sat) performance, and the transistor elements are independent, eliminating interference. FEATURES * Low VCE(sat), VCE(sat)=40mV (typ.)@IC / IB = 50mA / 2.5mA

Otros transistores... MMBTA92LT1G , MMBTH10-4LT1G , MMBTH10LT1G , MMBTH10M3 , MMBTH10W , MMDT3904V , MMDT3906V , MMDT8050S , TIP42 , MMDTA06 , MMJD2955 , MMJD3055 , MMJT350T1G , MMS8050-H , MMS8050-L , MMS8550-H , MMS8550-L .

History: BC147 | 2SD1691Y | AM81719-040 | AFY18VII | KSB1116S | KD234 | 3DD159C

 

 
Back to Top

 


 
.