Справочник транзисторов. MMDT8150

 

Биполярный транзистор MMDT8150 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMDT8150
   Маркировка: T81*
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: SOT-26 SOT-363
 

 Аналог (замена) для MMDT8150

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMDT8150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:134K  utc
 mmdt8150.pdf pdf_icon

MMDT8150

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MMDT8150 Preliminary NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW VCESAT NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC MMDT8150 is a Dual NPN epitaxial planar transistor. It has low VCE(SAT) performance and the transistor elements are independent to eliminate interference. FEATURES * Low VCE(SAT), VCE(SAT)=40mV (typ.)@IC / IB = 50mA / 2.5mA *

 9.1. Size:116K  utc
 mmdt8050s.pdf pdf_icon

MMDT8150

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MMDT8050S Preliminary NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW VCESAT NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC MMDT8050S is a Dual NPN epitaxial planar transistor. It has low VCE(sat) performance, and the transistor elements are independent, eliminating interference. FEATURES * Low VCE(sat), VCE(sat)=40mV (typ.)@IC / IB = 50mA / 2.5mA

Другие транзисторы... MMBTA92LT1G , MMBTH10-4LT1G , MMBTH10LT1G , MMBTH10M3 , MMBTH10W , MMDT3904V , MMDT3906V , MMDT8050S , TIP42 , MMDTA06 , MMJD2955 , MMJD3055 , MMJT350T1G , MMS8050-H , MMS8050-L , MMS8550-H , MMS8550-L .

 

 
Back to Top

 


 
.