MMDT8150 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMDT8150  📄📄 

Маркировка: T81*

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOT-26 SOT-363

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMDT8150

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMDT8150 даташит

 ..1. Size:134K  utc
 mmdt8150.pdf pdf_icon

MMDT8150

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MMDT8150 Preliminary NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW VCESAT NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC MMDT8150 is a Dual NPN epitaxial planar transistor. It has low VCE(SAT) performance and the transistor elements are independent to eliminate interference. FEATURES * Low VCE(SAT), VCE(SAT)=40mV (typ.)@IC / IB = 50mA / 2.5mA *

 9.1. Size:116K  utc
 mmdt8050s.pdf pdf_icon

MMDT8150

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MMDT8050S Preliminary NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW VCESAT NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC MMDT8050S is a Dual NPN epitaxial planar transistor. It has low VCE(sat) performance, and the transistor elements are independent, eliminating interference. FEATURES * Low VCE(sat), VCE(sat)=40mV (typ.)@IC / IB = 50mA / 2.5mA

Другие транзисторы: MMBTA92LT1G, MMBTH10-4LT1G, MMBTH10LT1G, MMBTH10M3, MMBTH10W, MMDT3904V, MMDT3906V, MMDT8050S, 2SD2499, MMDTA06, MMJD2955, MMJD3055, MMJT350T1G, MMS8050-H, MMS8050-L, MMS8550-H, MMS8550-L