PBHV2160Z . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PBHV2160Z
Código: HV216Z
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.65 W
Tensión colector-base (Vcb): 600 V
Tensión colector-emisor (Vce): 600 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 1.7 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: SOT-223
- Selección de transistores por parámetros
PBHV2160Z Datasheet (PDF)
pbhv2160z.pdf

PBHV2160Z600 V, 0.1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor24 June 2015 Product data sheet1. General descriptionNPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223(SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBHV3160Z2. Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Hig
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History: 2SC4837 | DDTC143FKA | DMA364A1 | 2SC4958 | PBLS4001V | DDTD143EU | DDTC143FE
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Liste
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