PBHV2160Z Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PBHV2160Z
Código: HV216Z
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.65 W
Tensión colector-base (Vcb): 600 V
Tensión colector-emisor (Vce): 600 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 1.7 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 70
Encapsulados: SOT-223
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PBHV2160Z datasheet
pbhv2160z.pdf
PBHV2160Z 600 V, 0.1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor 24 June 2015 Product data sheet 1. General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBHV3160Z 2. Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Hig
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History: 2SC2056 | 2SC2060 | 2SC3142
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