PBHV2160Z Todos los transistores

 

PBHV2160Z . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PBHV2160Z
   Código: HV216Z
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.65 W
   Tensión colector-base (Vcb): 600 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 600 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 1.7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: SOT-223
 

 Búsqueda de reemplazo de PBHV2160Z

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PBHV2160Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  nxp
pbhv2160z.pdf pdf_icon

PBHV2160Z

PBHV2160Z600 V, 0.1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor24 June 2015 Product data sheet1. General descriptionNPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223(SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBHV3160Z2. Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Hig

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 2SC5333 | 2N6423

 

 
Back to Top

 


 
.