PBHV2160Z - описание и поиск аналогов

 

PBHV2160Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PBHV2160Z

Маркировка: HV216Z

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT-223

 Аналоги (замена) для PBHV2160Z

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBHV2160Z даташит

 ..1. Size:197K  nxp
 pbhv2160z.pdf pdf_icon

PBHV2160Z

PBHV2160Z 600 V, 0.1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor 24 June 2015 Product data sheet 1. General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBHV3160Z 2. Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Hig

Другие транзисторы: MMSS8550W-J, MMSS8550W-L, MMST2222A-G, MMT8050, MMT8550, MX0912B100Y, P2N2222AG, DTC114WM, S9018, PBHV3160Z, PBHV8115X, PBHV8118T, PBHV8540X, PBHV8560Z, PBHV9040X, PBHV9050Z, PBHV9115X

 

 

 

 

↑ Back to Top
.