Биполярный транзистор PBHV2160Z Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PBHV2160Z
Маркировка: HV216Z
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.65 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: SOT-223
Аналог (замена) для PBHV2160Z
PBHV2160Z Datasheet (PDF)
pbhv2160z.pdf

PBHV2160Z600 V, 0.1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor24 June 2015 Product data sheet1. General descriptionNPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223(SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBHV3160Z2. Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Hig
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , TIP42C , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: BC108BP | TN6729A | 2N2784-46 | 2SA562-Y | JE9112A | 2N363 | BCP56L3
History: BC108BP | TN6729A | 2N2784-46 | 2SA562-Y | JE9112A | 2N363 | BCP56L3



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438