Биполярный транзистор PBHV2160Z - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PBHV2160Z
Маркировка: HV216Z
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.65 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: SOT-223
Аналоги (замена) для PBHV2160Z
PBHV2160Z Datasheet (PDF)
..1. Size:197K nxp
pbhv2160z.pdf
pbhv2160z.pdf
PBHV2160Z600 V, 0.1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor24 June 2015 Product data sheet1. General descriptionNPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223(SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBHV3160Z2. Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Hig
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , BC327 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: PBHV8115T
History: PBHV8115T
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050