PBHV3160Z Todos los transistores

 

PBHV3160Z . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PBHV3160Z
   Código: HV216Z
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.65 W
   Tensión colector-base (Vcb): 600 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 600 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 38 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: SOT-223
     - Selección de transistores por parámetros

 

PBHV3160Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  nxp
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PBHV3160Z

PBHV3160Z600 V, 0.1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor18 August 2014 Product data sheet1. General descriptionPNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a mediumpower SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.2. Features and benefits High voltage Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High colle

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History: PBHV8115X | 2SA1208R | BFX92 | 2SA1796 | KT739A | FT1724 | 2SC2480

 

 
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