PBHV3160Z Todos los transistores

 

PBHV3160Z Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PBHV3160Z

Código: HV216Z

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.65 W

Tensión colector-base (Vcb): 600 V

Tensión colector-emisor (Vce): 600 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 38 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: SOT-223

 Búsqueda de reemplazo de PBHV3160Z

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PBHV3160Z datasheet

 ..1. Size:206K  nxp
pbhv3160z.pdf pdf_icon

PBHV3160Z

PBHV3160Z 600 V, 0.1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor 18 August 2014 Product data sheet 1. General description PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits High voltage Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High colle

Otros transistores... MMSS8550W-L , MMST2222A-G , MMT8050 , MMT8550 , MX0912B100Y , P2N2222AG , DTC114WM , PBHV2160Z , TIP32C , PBHV8115X , PBHV8118T , PBHV8540X , PBHV8560Z , PBHV9040X , PBHV9050Z , PBHV9115X , PBHV9414Z .

History: BD952F | 2SD1648

 

 

 


History: BD952F | 2SD1648

🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550

 

 

 

Popular searches

c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g

 

 

↑ Back to Top
.