Биполярный транзистор PBHV3160Z - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PBHV3160Z
Маркировка: HV216Z
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.65 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 38 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: SOT-223
Аналоги (замена) для PBHV3160Z
PBHV3160Z Datasheet (PDF)
..1. Size:206K nxp
pbhv3160z.pdf
pbhv3160z.pdf
PBHV3160Z600 V, 0.1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor18 August 2014 Product data sheet1. General descriptionPNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a mediumpower SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.2. Features and benefits High voltage Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High colle
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
