PBHV3160Z - описание и поиск аналогов

 

PBHV3160Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PBHV3160Z

Маркировка: HV216Z

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 38 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT-223

 Аналоги (замена) для PBHV3160Z

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBHV3160Z даташит

 ..1. Size:206K  nxp
 pbhv3160z.pdf pdf_icon

PBHV3160Z

PBHV3160Z 600 V, 0.1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor 18 August 2014 Product data sheet 1. General description PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits High voltage Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High colle

Другие транзисторы: MMSS8550W-L, MMST2222A-G, MMT8050, MMT8550, MX0912B100Y, P2N2222AG, DTC114WM, PBHV2160Z, TIP32C, PBHV8115X, PBHV8118T, PBHV8540X, PBHV8560Z, PBHV9040X, PBHV9050Z, PBHV9115X, PBHV9414Z

 

 

 

 

↑ Back to Top
.