Справочник транзисторов. PBHV3160Z

 

Биполярный транзистор PBHV3160Z Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBHV3160Z
   Маркировка: HV216Z
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.65 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 38 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: SOT-223
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PBHV3160Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  nxp
 pbhv3160z.pdf pdf_icon

PBHV3160Z

PBHV3160Z600 V, 0.1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor18 August 2014 Product data sheet1. General descriptionPNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a mediumpower SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.2. Features and benefits High voltage Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High colle

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BC807-40 | 2SC3726 | GT905A | NJVMJD31CT4G | 2SD1684R | 3DD13005ED-M | 2SC1067

 

 
Back to Top

 


 
.