RT2C00M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RT2C00M
Código: LE_LF
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
Paquete / Cubierta: SOT-353
Búsqueda de reemplazo de RT2C00M
RT2C00M Datasheet (PDF)
rt2c00m.pdf

RT2C00M COMPOSITE TRANSISTORFOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEOUTLINE DRAWING Unit:mm DESCRIPTION RT2C00M is a composite transistor built with two 2SC3052 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon npn epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION For low frequency amplify applicatio
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History: 2SA165
History: 2SA165



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