RT2C00M Todos los transistores

 

RT2C00M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RT2C00M
   Código: LE_LF
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
   Paquete / Cubierta: SOT-353
 

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RT2C00M Datasheet (PDF)

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RT2C00M

RT2C00M COMPOSITE TRANSISTORFOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEOUTLINE DRAWING Unit:mm DESCRIPTION RT2C00M is a composite transistor built with two 2SC3052 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon npn epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION For low frequency amplify applicatio

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History: 2SA165

 

 
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