Справочник транзисторов. RT2C00M

 

Биполярный транзистор RT2C00M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT2C00M
   Маркировка: LE_LF
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: SOT-353
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

RT2C00M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  isahaya
 rt2c00m.pdf pdf_icon

RT2C00M

RT2C00M COMPOSITE TRANSISTORFOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEOUTLINE DRAWING Unit:mm DESCRIPTION RT2C00M is a composite transistor built with two 2SC3052 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon npn epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION For low frequency amplify applicatio

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: RT2N17M | 2SA2021 | BUY21 | 2SC809 | BC266B | DDTA144WUA | GT322A

 

 
Back to Top

 


 
.