Справочник транзисторов. RT2C00M

 

Биполярный транзистор RT2C00M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT2C00M
   Маркировка: LE_LF
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: SOT-353
 

 Аналог (замена) для RT2C00M

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT2C00M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  isahaya
 rt2c00m.pdf pdf_icon

RT2C00M

RT2C00M COMPOSITE TRANSISTORFOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEOUTLINE DRAWING Unit:mm DESCRIPTION RT2C00M is a composite transistor built with two 2SC3052 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon npn epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION For low frequency amplify applicatio

Другие транзисторы... PVR100AZ-B3V0 , PVR100AZ-B3V3 , PVR100AZ-B5V0 , RT1A3906 , RT1A3906-T122 , RT1C3904 , RT1C3904-T112 , RT2A00AM1 , 2SA1943 , RT3W77M , RT3WLMM , RT3XBBM , RT3Y97M , RT3YA7M , RT3YB7M , RTE13LFM , RXT2222A .

 

 
Back to Top

 


 
.