RT2C00M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RT2C00M  📄📄 

Маркировка: LE_LF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: SOT-353

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RT2C00M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT2C00M даташит

 ..1. Size:144K  isahaya
 rt2c00m.pdf pdf_icon

RT2C00M

RT2C00M COMPOSITE TRANSISTOR FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION RT2C00M is a composite transistor built with two 2SC3052 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon npn epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION For low frequency amplify applicatio

Другие транзисторы: PVR100AZ-B3V0, PVR100AZ-B3V3, PVR100AZ-B5V0, RT1A3906, RT1A3906-T122, RT1C3904, RT1C3904-T112, RT2A00AM1, TIP122, RT3W77M, RT3WLMM, RT3XBBM, RT3Y97M, RT3YA7M, RT3YB7M, RTE13LFM, RXT2222A