Биполярный транзистор RT2C00M - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: RT2C00M
Маркировка: LE_LF
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
Корпус транзистора: SOT-353
RT2C00M Datasheet (PDF)
..1. Size:144K isahaya
rt2c00m.pdf
rt2c00m.pdf
RT2C00M COMPOSITE TRANSISTORFOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEOUTLINE DRAWING Unit:mm DESCRIPTION RT2C00M is a composite transistor built with two 2SC3052 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon npn epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION For low frequency amplify applicatio
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050