RT3W77M Todos los transistores

 

RT3W77M Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RT3W77M
   Código: W77
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 75 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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RT3W77M datasheet

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RT3W77M

PRELIMINARY PRELIMINARY RT3W77M Notice This is not a final specification Some parametric are subject to change. Composite Transistor For General Purpose High Current Drive Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm 2.1 RT3W77M is compound transistor built with 2SC6046 1.25 chip and 2SA2166 chip in SC-88 package. FEATURE

Otros transistores... PVR100AZ-B3V3 , PVR100AZ-B5V0 , RT1A3906 , RT1A3906-T122 , RT1C3904 , RT1C3904-T112 , RT2A00AM1 , RT2C00M , A1015 , RT3WLMM , RT3XBBM , RT3Y97M , RT3YA7M , RT3YB7M , RTE13LFM , RXT2222A , RXT2907A .

 

 

 


 
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