RT3W77M - описание и поиск аналогов

 

RT3W77M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3W77M

Маркировка: W77

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-363

 Аналоги (замена) для RT3W77M

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3W77M даташит

 ..1. Size:123K  isahaya
 rt3w77m.pdf pdf_icon

RT3W77M

PRELIMINARY PRELIMINARY RT3W77M Notice This is not a final specification Some parametric are subject to change. Composite Transistor For General Purpose High Current Drive Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm 2.1 RT3W77M is compound transistor built with 2SC6046 1.25 chip and 2SA2166 chip in SC-88 package. FEATURE

Другие транзисторы... PVR100AZ-B3V3 , PVR100AZ-B5V0 , RT1A3906 , RT1A3906-T122 , RT1C3904 , RT1C3904-T112 , RT2A00AM1 , RT2C00M , A1015 , RT3WLMM , RT3XBBM , RT3Y97M , RT3YA7M , RT3YB7M , RTE13LFM , RXT2222A , RXT2907A .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.