Справочник транзисторов. RT3W77M

 

Биполярный транзистор RT3W77M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT3W77M
   Маркировка: W77
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-363
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

RT3W77M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  isahaya
 rt3w77m.pdf pdf_icon

RT3W77M

PRELIMINARY PRELIMINARY RT3W77M NoticeThis is not a final specification Some parametric are subject to change. Composite Transistor For General Purpose High Current Drive ApplicationSilicon Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm 2.1 RT3W77M is compound transistor built with 2SC6046 1.25 chip and 2SA2166 chip in SC-88 package. FEATURE

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: KMBTA05 | 2SC706 | DTA602 | 2SC1400U | ECG311

 

 
Back to Top

 


 
.