RT3WLMM Todos los transistores

 

RT3WLMM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RT3WLMM
   Código: WLM
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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RT3WLMM Datasheet (PDF)

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RT3WLMM

PRELIMINARY RT3WLMMComposite Transistor For Low Frequency Amplify ApplicationSilicon Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3WLMM is compound transistor built with 2SC3052 2.1 chip and ISA1235A chip in SC-88 package. 1.25 FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting

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History: NTE213 | MJW21192 | BD355B | MRF897R | 2SB1160 | 2N5288 | PN930

 

 
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