RT3WLMM - описание и поиск аналогов

 

RT3WLMM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3WLMM

Маркировка: WLM

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: SOT-363

 Аналоги (замена) для RT3WLMM

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3WLMM даташит

 ..1. Size:145K  isahaya
 rt3wlmm.pdf pdf_icon

RT3WLMM

PRELIMINARY RT3WLMM Composite Transistor For Low Frequency Amplify Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3WLMM is compound transistor built with 2SC3052 2.1 chip and ISA1235A chip in SC-88 package. 1.25 FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting

Другие транзисторы... PVR100AZ-B5V0 , RT1A3906 , RT1A3906-T122 , RT1C3904 , RT1C3904-T112 , RT2A00AM1 , RT2C00M , RT3W77M , 13007 , RT3XBBM , RT3Y97M , RT3YA7M , RT3YB7M , RTE13LFM , RXT2222A , RXT2907A , S1015 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.