Справочник транзисторов. RT3WLMM

 

Биполярный транзистор RT3WLMM Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT3WLMM
   Маркировка: WLM
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: SOT-363
 

 Аналог (замена) для RT3WLMM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3WLMM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  isahaya
 rt3wlmm.pdf pdf_icon

RT3WLMM

PRELIMINARY RT3WLMMComposite Transistor For Low Frequency Amplify ApplicationSilicon Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3WLMM is compound transistor built with 2SC3052 2.1 chip and ISA1235A chip in SC-88 package. 1.25 FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: SS8050G | NA22FJ

 

 
Back to Top

 


 
.