UMF21N Todos los transistores

 

UMF21N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UMF21N
   Código: F21
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 260 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 270
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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UMF21N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:591K  htsemi
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UMF21N

UMF21N Power management (dual transistors) DESCRIPTION Silicon epitaxial planar transistor SOT-363 FEATURES 2SA2018 and DTC114E are housed independently in a package. Power switching circuit in a single package. 1 Mounting cost and area can be cut in half. APPLICATION Power management circuit, mobile telephone quiver circuit For portable equipment:(i.e. Mobile p

 9.1. Size:135K  chenmko
chumf21gp.pdf pdf_icon

UMF21N

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDSURFACE MOUNTCHUMF21GPPower Management (Dual Transistor)Tr1:VOLTAGE 12 Volts CURRENT 0.5 AmpereDTr2:VOLTAGE 50 Volts CURRENT 50 mAmpereAPPLICATION* Power management circuitFEATURE* Small surface mounting type. (SC-88/SOT-363)SC-88/SOT-363* Power switching circuit in a single package.* Mounting cost and area can be cut in half.* Both the 2SA201

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