UMF21N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UMF21N  📄📄 

Código: F21

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 15 V

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 260 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 270

Encapsulados: SOT-363

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UMF21N datasheet

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UMF21N

UMF21N Power management (dual transistors) DESCRIPTION Silicon epitaxial planar transistor SOT-363 FEATURES 2SA2018 and DTC114E are housed independently in a package. Power switching circuit in a single package. 1 Mounting cost and area can be cut in half. APPLICATION Power management circuit, mobile telephone quiver circuit For portable equipment (i.e. Mobile p

 9.1. Size:135K  chenmko
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UMF21N

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD SURFACE MOUNT CHUMF21GP Power Management (Dual Transistor) Tr1 VOLTAGE 12 Volts CURRENT 0.5 Ampere DTr2 VOLTAGE 50 Volts CURRENT 50 mAmpere APPLICATION * Power management circuit FEATURE * Small surface mounting type. (SC-88/SOT-363) SC-88/SOT-363 * Power switching circuit in a single package. * Mounting cost and area can be cut in half. * Both the 2SA201

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