Биполярный транзистор UMF21N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: UMF21N
Маркировка: F21
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
Корпус транзистора: SOT-363
UMF21N Datasheet (PDF)
umf21n.pdf
UMF21N Power management (dual transistors) DESCRIPTION Silicon epitaxial planar transistor SOT-363 FEATURES 2SA2018 and DTC114E are housed independently in a package. Power switching circuit in a single package. 1 Mounting cost and area can be cut in half. APPLICATION Power management circuit, mobile telephone quiver circuit For portable equipment:(i.e. Mobile p
chumf21gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDSURFACE MOUNTCHUMF21GPPower Management (Dual Transistor)Tr1:VOLTAGE 12 Volts CURRENT 0.5 AmpereDTr2:VOLTAGE 50 Volts CURRENT 50 mAmpereAPPLICATION* Power management circuitFEATURE* Small surface mounting type. (SC-88/SOT-363)SC-88/SOT-363* Power switching circuit in a single package.* Mounting cost and area can be cut in half.* Both the 2SA201
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2222A , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050