UMF21N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMF21N  📄📄 

Маркировка: F21

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 270

Корпус транзистора: SOT-363

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMF21N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMF21N даташит

 ..1. Size:591K  htsemi
 umf21n.pdf pdf_icon

UMF21N

UMF21N Power management (dual transistors) DESCRIPTION Silicon epitaxial planar transistor SOT-363 FEATURES 2SA2018 and DTC114E are housed independently in a package. Power switching circuit in a single package. 1 Mounting cost and area can be cut in half. APPLICATION Power management circuit, mobile telephone quiver circuit For portable equipment (i.e. Mobile p

 9.1. Size:135K  chenmko
 chumf21gp.pdf pdf_icon

UMF21N

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD SURFACE MOUNT CHUMF21GP Power Management (Dual Transistor) Tr1 VOLTAGE 12 Volts CURRENT 0.5 Ampere DTr2 VOLTAGE 50 Volts CURRENT 50 mAmpere APPLICATION * Power management circuit FEATURE * Small surface mounting type. (SC-88/SOT-363) SC-88/SOT-363 * Power switching circuit in a single package. * Mounting cost and area can be cut in half. * Both the 2SA201

Другие транзисторы: S1815, S2000N, S2055N, S2SA1774G, S2SC4617G, S-L2SA2030M3T5G, S-L2SC3837T1G, UD2195, A733, UMF5N, BCR108F, BCR112W, BCR116S, BCR119F, BCR119W, BCR129, BCR129S