2S32 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2S32 📄📄
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 0.6 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: TO1
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2S32 datasheet
2s323a.pdf
2S323A Dimensions in mm (inches). 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Bipolar NPN Device in a 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Hermetically sealed TO5 Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) 0.89 (0.035)max. 38.00 Bipolar NPN Device. (1.5) 0.41 (0.016) min. 0.53 (0.021) dia. VCEO = 25V 5.08 (0.200) IC = 0.05A typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3 can
Otros transistores... 2S3040, 2S304A, 2S305, 2S305A, 2S306, 2S307, 2S307A, 2S31, BC549, 2S321, 2S3210, 2S322, 2S3220, 2S3221, 2S322A, 2S323, 2S3230
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: 2S321 | 2S307 | FTA1298 | 2N2906ACSM | 2SD1557 | 2S3210 | 2SA1464-P
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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