2S32 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2S32
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.6 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO1
Búsqueda de reemplazo de 2S32
2S32 datasheet
2s323a.pdf
2S323A Dimensions in mm (inches). 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Bipolar NPN Device in a 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Hermetically sealed TO5 Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) 0.89 (0.035)max. 38.00 Bipolar NPN Device. (1.5) 0.41 (0.016) min. 0.53 (0.021) dia. VCEO = 25V 5.08 (0.200) IC = 0.05A typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3 can
Otros transistores... 2S3040 , 2S304A , 2S305 , 2S305A , 2S306 , 2S307 , 2S307A , 2S31 , BC639 , 2S321 , 2S3210 , 2S322 , 2S3220 , 2S3221 , 2S322A , 2S323 , 2S3230 .
History: 2SA1605 | 2S38
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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