DRA2L14Y Todos los transistores

 

DRA2L14Y . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DRA2L14Y
   Código: K4
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: MINI3-G3-B
 

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DRA2L14Y Datasheet (PDF)

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DRA2L14Y

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRA2L14YSilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuits Features Package Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Code Eco-friendly Halogen-free package Mini3-G3-B Pin Name Packaging 1: BaseEmbossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (sta

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History: GES4928 | DPT121

 

 
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