DRA2L14Y Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DRA2L14Y

Código: K4

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: MINI3-G3-B

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DRA2L14Y datasheet

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DRA2L14Y

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA2L14Y Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Features Package Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Code Eco-friendly Halogen-free package Mini3-G3-B Pin Name Packaging 1 Base Embossed type (Thermo-compression sealing) 3000 pcs / reel (sta

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