DRA2L14Y datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DRA2L14Y

Маркировка: K4

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: MINI3-G3-B

 Аналоги (замена) для DRA2L14Y

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DRA2L14Y даташит

 ..1. Size:353K  panasonic
 dra2l14y.pdf pdf_icon

DRA2L14Y

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA2L14Y Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Features Package Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Code Eco-friendly Halogen-free package Mini3-G3-B Pin Name Packaging 1 Base Embossed type (Thermo-compression sealing) 3000 pcs / reel (sta

Другие транзисторы: DRA2144W, DRA2152Z, DRA2514E, DRA2522J, DRA2523E, DRA2523Y, DRA2533Q, DRA2543E, 2SC5198, DRA3113Z, DRA3114E, DRA3114T, DRA3114Y, DRA3115E, DRA3115G, DRA3115T, DRA3123E