Биполярный транзистор DRA2L14Y Даташит. Аналоги
Наименование производителя: DRA2L14Y
Маркировка: K4
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: MINI3-G3-B
Аналог (замена) для DRA2L14Y
DRA2L14Y Datasheet (PDF)
dra2l14y.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRA2L14YSilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuits Features Package Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Code Eco-friendly Halogen-free package Mini3-G3-B Pin Name Packaging 1: BaseEmbossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (sta
Другие транзисторы... DRA2144W , DRA2152Z , DRA2514E , DRA2522J , DRA2523E , DRA2523Y , DRA2533Q , DRA2543E , 2SC2383Y , DRA3113Z , DRA3114E , DRA3114T , DRA3114Y , DRA3115E , DRA3115G , DRA3115T , DRA3123E .
History: HBC8471S6R | BC856ALT1G | NESG210719 | RN4992HFE | 2SC2253 | GES5136 | 2SC267
History: HBC8471S6R | BC856ALT1G | NESG210719 | RN4992HFE | 2SC2253 | GES5136 | 2SC267



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement