DTA114EEFRA Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DTA114EEFRA

Código: 14

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: SOT-416

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DTA114EEFRA datasheet

 ..1. Size:3896K  rohm
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DTA114EEFRA

DTA114E series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 10k DTA114EM DTA114EEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 10k EMT3 UMT3F lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 10k 2) Built-in bias resistors enable the configuration

 5.1. Size:54K  motorola
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DTA114EEFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTA114EEF PNP resistor-equipped transistor 1999 May 21 Preliminary specification Supersedes data of 1998 Nov 11 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114EEF FEATURES PINNING Power dissipation comparable to SOT23 PIN DESCRIPTION Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 1

 5.2. Size:54K  philips
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DTA114EEFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTA114EEF PNP resistor-equipped transistor 1999 May 21 Preliminary specification Supersedes data of 1998 Nov 11 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114EEF FEATURES PINNING Power dissipation comparable to SOT23 PIN DESCRIPTION Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 1

 6.1. Size:57K  motorola
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DTA114EEFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA114EE PNP resistor-equipped transistor Preliminary specification 1998 Jul 23 Supersedes data of 1997 Jul 03 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114EE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) Simplification of circuit

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