Справочник транзисторов. DTA114EEFRA

 

Биполярный транзистор DTA114EEFRA Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DTA114EEFRA
   Маркировка: 14
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT-416
 

 Аналог (замена) для DTA114EEFRA

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTA114EEFRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3896K  rohm
dta114eefra dta114ekafra dta114emfha dta114euafra.pdfpdf_icon

DTA114EEFRA

DTA114E seriesDatasheetPNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlinelParameter Value VMT3 EMT3FVCC-50VIC(MAX.)-100mA R110kDTA114EM DTA114EEBR2 (SC-105AA) (SC-89)10k EMT3 UMT3FlFeaturesl1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 10k 2) Built-in bias resistors enable the configuration

 5.1. Size:54K  motorola
pdta114eef 2.pdfpdf_icon

DTA114EEFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D425PDTA114EEFPNP resistor-equipped transistor1999 May 21Preliminary specificationSupersedes data of 1998 Nov 11Philips Semiconductors Preliminary specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA114EEFFEATURES PINNING Power dissipation comparable to SOT23PIN DESCRIPTION Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each)1

 5.2. Size:54K  philips
pdta114eef 2.pdfpdf_icon

DTA114EEFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D425PDTA114EEFPNP resistor-equipped transistor1999 May 21Preliminary specificationSupersedes data of 1998 Nov 11Philips Semiconductors Preliminary specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA114EEFFEATURES PINNING Power dissipation comparable to SOT23PIN DESCRIPTION Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each)1

 6.1. Size:57K  motorola
pdta114ee 2.pdfpdf_icon

DTA114EEFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTA114EEPNP resistor-equipped transistorPreliminary specification 1998 Jul 23Supersedes data of 1997 Jul 03File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Preliminary specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA114EEFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each) Simplification of circuit

Другие транзисторы... DTA113EM3T5G , DTA113TKA , DTA113ZEFRA , DTA113ZKAFRA , DTA113ZUAFRA , DTA113ZVA , DTA114EA3 , DTA114EB3 , TIP3055 , DTA114EET1G , DTA114EKAFRA , DTA114EM3 , DTA114EM3T5G , DTA114EMFHA , DTA114EN3 , DTA114ES3 , DTA114EUAFRA .

History: 2N789 | 2N791 | MJE3302

 

 
Back to Top

 


 
.