DTA114EEFRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTA114EEFRA

Маркировка: 14

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT-416

 Аналоги (замена) для DTA114EEFRA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTA114EEFRA даташит

 ..1. Size:3896K  rohm
dta114eefra dta114ekafra dta114emfha dta114euafra.pdfpdf_icon

DTA114EEFRA

DTA114E series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 10k DTA114EM DTA114EEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 10k EMT3 UMT3F lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 10k 2) Built-in bias resistors enable the configuration

 5.1. Size:54K  motorola
pdta114eef 2.pdfpdf_icon

DTA114EEFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTA114EEF PNP resistor-equipped transistor 1999 May 21 Preliminary specification Supersedes data of 1998 Nov 11 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114EEF FEATURES PINNING Power dissipation comparable to SOT23 PIN DESCRIPTION Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 1

 5.2. Size:54K  philips
pdta114eef 2.pdfpdf_icon

DTA114EEFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTA114EEF PNP resistor-equipped transistor 1999 May 21 Preliminary specification Supersedes data of 1998 Nov 11 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114EEF FEATURES PINNING Power dissipation comparable to SOT23 PIN DESCRIPTION Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 1

 6.1. Size:57K  motorola
pdta114ee 2.pdfpdf_icon

DTA114EEFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA114EE PNP resistor-equipped transistor Preliminary specification 1998 Jul 23 Supersedes data of 1997 Jul 03 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114EE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) Simplification of circuit

Другие транзисторы: DTA113EM3T5G, DTA113TKA, DTA113ZEFRA, DTA113ZKAFRA, DTA113ZUAFRA, DTA113ZVA, DTA114EA3, DTA114EB3, A1015, DTA114EET1G, DTA114EKAFRA, DTA114EM3, DTA114EM3T5G, DTA114EMFHA, DTA114EN3, DTA114ES3, DTA114EUAFRA