DTA114EKAFRA Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DTA114EKAFRA

Código: 14

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: SOT-346

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DTA114EKAFRA datasheet

 ..1. Size:3896K  rohm
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DTA114EKAFRA

DTA114E series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 10k DTA114EM DTA114EEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 10k EMT3 UMT3F lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 10k 2) Built-in bias resistors enable the configuration

 5.1. Size:60K  rohm
 dta114eka dta114esa dta114eua.pdf pdf_icon

DTA114EKAFRA

DTA114EM / DTA114EE / DTA114EUA Transistors DTA114EKA / DTA114ESA -100mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors) DTA114EM / DTA114EE / DTA114EUA / DTA114EKA / DTA114ESA Applications Inverter, Interface, Driver Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit)

 5.2. Size:181K  diodes
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DTA114EKAFRA

 6.1. Size:57K  motorola
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DTA114EKAFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage M3D114 PDTA114EK PNP resistor-equipped transistor 1998 May 19 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 04 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114EK FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 Simplific

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