DTDG14GP Todos los transistores

 

DTDG14GP . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DTDG14GP
   Código: E01
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 300
   Paquete / Cubierta: SC-62
 

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DTDG14GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:46K  rohm
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DTDG14GP

DTDG14GP Transistors 1A / 60V Digital Transistor (with built-in resistor and zener diode) DTDG14GP External dimensions (Unit : mm) Applications Driver 4.51.51.6 Features 1) High hFE. 300 (Min.) (VCE / IC=2V / 0.5A) (1) (2) (3)2) Low saturation voltage, 0.4(VCE(sat)=0.4V at IC / IB=500mA / 5mA) 0.50.4 0.43) Built-in zener diode gives strong protection agains

 9.1. Size:306K  lrc
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DTDG14GP

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Bias Resistor TransistorNPN Silicon Surface Mount TransistorLDTDG12GPT1Gwith Monolithic Bias Resistor Network Applications Driver 3 Features 1) High hFE. 300 (Min.) (VCE / IC=2V / 0.5A) 12) Low saturation voltage, 2(VCE(sat)=0.4V at IC / IB=500mA / 5mA) SC-893) Built-in zener diode gives strong protection against reverse surge by L- lo

Otros transistores... DTD113ZUA , DTD114EA3 , DTD114EN3 , DTD114GK , DTD123TK , DTD143EN3 , DTD143TK , DTD143TN3 , SS8050 , EMA3 , EMA4 , EMA5 , EMB10 , EMB10FHA , EMB11 , EMB11FHA , EMB2 .

History: PUMD3

 

 
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