DTDG14GP . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DTDG14GP
Código: E01
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 300
Paquete / Cubierta: SC-62
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar DTDG14GP
DTDG14GP Datasheet (PDF)
dtdg14gp.pdf
DTDG14GP Transistors 1A / 60V Digital Transistor (with built-in resistor and zener diode) DTDG14GP External dimensions (Unit : mm) Applications Driver 4.51.51.6 Features 1) High hFE. 300 (Min.) (VCE / IC=2V / 0.5A) (1) (2) (3)2) Low saturation voltage, 0.4(VCE(sat)=0.4V at IC / IB=500mA / 5mA) 0.50.4 0.43) Built-in zener diode gives strong protection agains
ldtdg12gpt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Bias Resistor TransistorNPN Silicon Surface Mount TransistorLDTDG12GPT1Gwith Monolithic Bias Resistor Network Applications Driver 3 Features 1) High hFE. 300 (Min.) (VCE / IC=2V / 0.5A) 12) Low saturation voltage, 2(VCE(sat)=0.4V at IC / IB=500mA / 5mA) SC-893) Built-in zener diode gives strong protection against reverse surge by L- lo
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