DTDG14GP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DTDG14GP

Código: E01

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 300

Encapsulados: SC-62

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DTDG14GP datasheet

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DTDG14GP

DTDG14GP Transistors 1A / 60V Digital Transistor (with built-in resistor and zener diode) DTDG14GP External dimensions (Unit mm) Applications Driver 4.5 1.5 1.6 Features 1) High hFE. 300 (Min.) (VCE / IC=2V / 0.5A) (1) (2) (3) 2) Low saturation voltage, 0.4 (VCE(sat)=0.4V at IC / IB=500mA / 5mA) 0.5 0.4 0.4 3) Built-in zener diode gives strong protection agains

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DTDG14GP

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor LDTDG12GPT1G with Monolithic Bias Resistor Network Applications Driver 3 Features 1) High hFE. 300 (Min.) (VCE / IC=2V / 0.5A) 1 2) Low saturation voltage, 2 (VCE(sat)=0.4V at IC / IB=500mA / 5mA) SC-89 3) Built-in zener diode gives strong protection against reverse surge by L- lo

Otros transistores... DTD113ZUA, DTD114EA3, DTD114EN3, DTD114GK, DTD123TK, DTD143EN3, DTD143TK, DTD143TN3, 2222A, EMA3, EMA4, EMA5, EMB10, EMB10FHA, EMB11, EMB11FHA, EMB2