Справочник транзисторов. DTDG14GP

 

Биполярный транзистор DTDG14GP Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DTDG14GP
   Маркировка: E01
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SC-62
 

 Аналог (замена) для DTDG14GP

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTDG14GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:46K  rohm
 dtdg14gp.pdf pdf_icon

DTDG14GP

DTDG14GP Transistors 1A / 60V Digital Transistor (with built-in resistor and zener diode) DTDG14GP External dimensions (Unit : mm) Applications Driver 4.51.51.6 Features 1) High hFE. 300 (Min.) (VCE / IC=2V / 0.5A) (1) (2) (3)2) Low saturation voltage, 0.4(VCE(sat)=0.4V at IC / IB=500mA / 5mA) 0.50.4 0.43) Built-in zener diode gives strong protection agains

 9.1. Size:306K  lrc
 ldtdg12gpt1g.pdf pdf_icon

DTDG14GP

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Bias Resistor TransistorNPN Silicon Surface Mount TransistorLDTDG12GPT1Gwith Monolithic Bias Resistor Network Applications Driver 3 Features 1) High hFE. 300 (Min.) (VCE / IC=2V / 0.5A) 12) Low saturation voltage, 2(VCE(sat)=0.4V at IC / IB=500mA / 5mA) SC-893) Built-in zener diode gives strong protection against reverse surge by L- lo

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top

 


 
.