DTDG14GP - описание и поиск аналогов

 

DTDG14GP - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DTDG14GP
   Маркировка: E01
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SC-62

 Аналоги (замена) для DTDG14GP

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTDG14GP - технические параметры

 ..1. Size:46K  rohm
 dtdg14gp.pdf pdf_icon

DTDG14GP

DTDG14GP Transistors 1A / 60V Digital Transistor (with built-in resistor and zener diode) DTDG14GP External dimensions (Unit mm) Applications Driver 4.5 1.5 1.6 Features 1) High hFE. 300 (Min.) (VCE / IC=2V / 0.5A) (1) (2) (3) 2) Low saturation voltage, 0.4 (VCE(sat)=0.4V at IC / IB=500mA / 5mA) 0.5 0.4 0.4 3) Built-in zener diode gives strong protection agains

 9.1. Size:306K  lrc
 ldtdg12gpt1g.pdf pdf_icon

DTDG14GP

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor LDTDG12GPT1G with Monolithic Bias Resistor Network Applications Driver 3 Features 1) High hFE. 300 (Min.) (VCE / IC=2V / 0.5A) 1 2) Low saturation voltage, 2 (VCE(sat)=0.4V at IC / IB=500mA / 5mA) SC-89 3) Built-in zener diode gives strong protection against reverse surge by L- lo

Другие транзисторы... DTD113ZUA , DTD114EA3 , DTD114EN3 , DTD114GK , DTD123TK , DTD143EN3 , DTD143TK , DTD143TN3 , 2222A , EMA3 , EMA4 , EMA5 , EMB10 , EMB10FHA , EMB11 , EMB11FHA , EMB2 .

 

 
Back to Top

 


 
.