EMD30 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EMD30

Código: D30

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: SC-107C

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EMD30 datasheet

..1. Size:271K rohm
emd30.pdf pdf_icon

EMD30 Datasheet PNP + NPN Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Outline EMT6 Parameter Value (6) (5) (4) VCC 30V (1) (2) IC(MAX.) 200mA (3) R1 1k EMD30 (SC-107C) R2 10k Parameter Value VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 10k R2 10k Features Inner circuit 1) Both the DTB713Z chip and DTC1

0.1. Size:76K philips
pemd30 pumd30.pdf pdf_icon

PEMD30; PUMD30 NPN/PNP double resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = open Rev. 01 31 March 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package PNP/PNP NPN/NPN complement complement Philips JEITA PEMD30 SOT66

Otros transistores... EMD12, EMD12FHA, EMD2, EMD22, EMD22FHA, EMD29, EMD2FHA, EMD3, BD136, EMD38, EMD3FHA, EMD4, EMD4DXV6T1G, EMD4DXV6T5G, EMD5, EMD52, EMD53

EMD30 Datasheet. Equivalente