EMD30 Todos los transistores

 

EMD30 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EMD30
   Código: D30
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: SC-107C
 

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EMD30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  rohm
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EMD30

EMD30DatasheetPNP + NPN Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) OutlineEMT6Parameter Value(6)(5)(4)VCC30V(1)(2)IC(MAX.)200mA(3)R11kEMD30(SC-107C)R210kParameter ValueVCC50VIC(MAX.)100mAR110kR210kFeatures Inner circuit1) Both the DTB713Z chip and DTC1

 0.1. Size:76K  philips
 pemd30 pumd30.pdf pdf_icon

EMD30

PEMD30; PUMD30NPN/PNP double resistor-equipped transistors;R1 = 2.2 k, R2 = openRev. 01 31 March 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD)plastic packages.Table 1. Product overviewType number Package PNP/PNP NPN/NPNcomplement complementPhilips JEITAPEMD30 SOT66

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