Справочник транзисторов. EMD30

 

Биполярный транзистор EMD30 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: EMD30
   Маркировка: D30
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SC-107C
 

 Аналог (замена) для EMD30

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMD30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  rohm
 emd30.pdf pdf_icon

EMD30

EMD30DatasheetPNP + NPN Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) OutlineEMT6Parameter Value(6)(5)(4)VCC30V(1)(2)IC(MAX.)200mA(3)R11kEMD30(SC-107C)R210kParameter ValueVCC50VIC(MAX.)100mAR110kR210kFeatures Inner circuit1) Both the DTB713Z chip and DTC1

 0.1. Size:76K  philips
 pemd30 pumd30.pdf pdf_icon

EMD30

PEMD30; PUMD30NPN/PNP double resistor-equipped transistors;R1 = 2.2 k, R2 = openRev. 01 31 March 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD)plastic packages.Table 1. Product overviewType number Package PNP/PNP NPN/NPNcomplement complementPhilips JEITAPEMD30 SOT66

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , TIP42C , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: ED1702 | 2N538 | 2N5711

 

 
Back to Top

 


 
.