EMD30 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMD30

Маркировка: D30

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMD30

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMD30 даташит

 ..1. Size:271K  rohm
 emd30.pdf pdf_icon

EMD30

EMD30 Datasheet PNP + NPN Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Outline EMT6 Parameter Value (6) (5) (4) VCC 30V (1) (2) IC(MAX.) 200mA (3) R1 1k EMD30 (SC-107C) R2 10k Parameter Value VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 10k R2 10k Features Inner circuit 1) Both the DTB713Z chip and DTC1

 0.1. Size:76K  philips
 pemd30 pumd30.pdf pdf_icon

EMD30

PEMD30; PUMD30 NPN/PNP double resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = open Rev. 01 31 March 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package PNP/PNP NPN/NPN complement complement Philips JEITA PEMD30 SOT66

Другие транзисторы: EMD12, EMD12FHA, EMD2, EMD22, EMD22FHA, EMD29, EMD2FHA, EMD3, BD136, EMD38, EMD3FHA, EMD4, EMD4DXV6T1G, EMD4DXV6T5G, EMD5, EMD52, EMD53