Биполярный транзистор EMD30 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: EMD30
Маркировка: D30
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SC-107C
EMD30 Datasheet (PDF)
emd30.pdf
EMD30DatasheetPNP + NPN Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) OutlineEMT6Parameter Value(6)(5)(4)VCC30V(1)(2)IC(MAX.)200mA(3)R11kEMD30(SC-107C)R210kParameter ValueVCC50VIC(MAX.)100mAR110kR210kFeatures Inner circuit1) Both the DTB713Z chip and DTC1
pemd30 pumd30.pdf
PEMD30; PUMD30NPN/PNP double resistor-equipped transistors;R1 = 2.2 k, R2 = openRev. 01 31 March 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD)plastic packages.Table 1. Product overviewType number Package PNP/PNP NPN/NPNcomplement complementPhilips JEITAPEMD30 SOT66
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050