EMF5XV6T5G Todos los transistores

 

EMF5XV6T5G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EMF5XV6T5G
   Código: UY
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.357 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SOT-563
 

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EMF5XV6T5G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:69K  onsemi
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EMF5XV6T5G

EMF5XV6T5Preferred DevicesPower Management,Dual TransistorsNPN Silicon Surface Mount Transistorswith Monolithic Bias Resistor Networkhttp://onsemi.comFeatures Simplifies Circuit Design(3) (2) (1) Reduces Board Space Reduces Component CountQ1 These are Pb-Free DevicesQ2MAXIMUM RATINGSR2 R1Rating Symbol Value Unit(4) (5) (6)Q1 (TA = 25C unless o

Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: NTE2427 | BD506-5 | GES3568 | 43104 | BC351B | 2SB1215Q | SD1224

 

 
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