Справочник транзисторов. EMF5XV6T5G

 

Биполярный транзистор EMF5XV6T5G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: EMF5XV6T5G
   Маркировка: UY
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.357 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT-563
 

 Аналог (замена) для EMF5XV6T5G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMF5XV6T5G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:69K  onsemi
 emf5xv6t5-d emf5xv6 emf5xv6t5g.pdf pdf_icon

EMF5XV6T5G

EMF5XV6T5Preferred DevicesPower Management,Dual TransistorsNPN Silicon Surface Mount Transistorswith Monolithic Bias Resistor Networkhttp://onsemi.comFeatures Simplifies Circuit Design(3) (2) (1) Reduces Board Space Reduces Component CountQ1 These are Pb-Free DevicesQ2MAXIMUM RATINGSR2 R1Rating Symbol Value Unit(4) (5) (6)Q1 (TA = 25C unless o

Другие транзисторы... EMD6FHA , EMD72 , EMD9 , EMD9FHA , EMF18XV6 , EMF18XV6T5 , EMF18XV6T5G , EMF5XV6 , D882 , EMG1 , EMG2 , EMG2DXV5T5G , EMG3 , EMG4 , EMG5 , EMG5DXV5T1 , EMG6 .

History: EMG6

 

 
Back to Top

 


 
.