EMF5XV6T5G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMF5XV6T5G

Маркировка: UY

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.357 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT-563

 Аналоги (замена) для EMF5XV6T5G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMF5XV6T5G даташит

 ..1. Size:69K  onsemi
 emf5xv6t5-d emf5xv6 emf5xv6t5g.pdf pdf_icon

EMF5XV6T5G

EMF5XV6T5 Preferred Devices Power Management, Dual Transistors NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network http //onsemi.com Features Simplifies Circuit Design (3) (2) (1) Reduces Board Space Reduces Component Count Q1 These are Pb-Free Devices Q2 MAXIMUM RATINGS R2 R1 Rating Symbol Value Unit (4) (5) (6) Q1 (TA = 25 C unless o

Другие транзисторы: EMD6FHA, EMD72, EMD9, EMD9FHA, EMF18XV6, EMF18XV6T5, EMF18XV6T5G, EMF5XV6, BC337, EMG1, EMG2, EMG2DXV5T5G, EMG3, EMG4, EMG5, EMG5DXV5T1, EMG6