EMG5DXV5T1 Todos los transistores

 

EMG5DXV5T1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EMG5DXV5T1
   Código: UF
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.23 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SOT-553
     - Selección de transistores por parámetros

 

EMG5DXV5T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:69K  onsemi
 emg2dxv5t1 emg5dxv5 emg2dxv5t5g emg5dxv5t1.pdf pdf_icon

EMG5DXV5T1

EMG2DXV5T1,EMG5DXV5T1Preferred DevicesDual Bias ResistorTransistorsNPN Silicon Surface Mount Transistorshttp://onsemi.comwith Monolithic Bias Resistor NetworkThis new series of digital transistors is designed to replace a singledevice and its external resistor bias network. The BRT (Bias ResistorNPN SILICONTransistor) contains a single transistor with a monolithic bias net

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History: BF197PM | MPS2484 | ZTX614 | BF321 | 2SC889 | BD120 | ECH8503-TL-H

 

 
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