EMG5DXV5T1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMG5DXV5T1

Маркировка: UF

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.23 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT-553

 Аналоги (замена) для EMG5DXV5T1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMG5DXV5T1 даташит

 ..1. Size:69K  onsemi
 emg2dxv5t1 emg5dxv5 emg2dxv5t5g emg5dxv5t1.pdf pdf_icon

EMG5DXV5T1

EMG2DXV5T1, EMG5DXV5T1 Preferred Devices Dual Bias Resistor Transistors NPN Silicon Surface Mount Transistors http //onsemi.com with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor NPN SILICON Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias net

Другие транзисторы: EMF5XV6, EMF5XV6T5G, EMG1, EMG2, EMG2DXV5T5G, EMG3, EMG4, EMG5, TIP3055, EMG6, EMG8, EMG9, EMH1, EMH10, EMH10FHA, EMH11, EMH11FHA