EMH4FHA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EMH4FHA

Código: H4

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SC-107C

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EMH4FHA datasheet

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EMH4FHA

EMH4 / UMH4N / IMH4A EMH4FHA / UMH4NFHA / IMH4AFRA Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCEO 50V (4) (4) (1) (1) (2) (2) IC(MAX.) 100mA (3) (3) R1 10kW EMH4 UMH4N EMH4FHA UMH4NFHA (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6 (4)

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EMH4FHA

EMH4 / UMH4N / IMH4A EMH4FHA / UMH4NFHA / IMH4AFRA Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCEO 50V (4) (4) (1) (1) (2) (2) IC(MAX.) 100mA (3) (3) R1 10kW EMH4 UMH4N EMH4FHA UMH4NFHA (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6 (4)

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