Справочник транзисторов. EMH4FHA

 

Биполярный транзистор EMH4FHA - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: EMH4FHA
   Маркировка: H4
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMH4FHA

 

 

EMH4FHA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1263K  rohm
emh4fha umh4nfha imh4afra.pdf

EMH4FHA
EMH4FHA

EMH4 / UMH4N / IMH4AEMH4FHA / UMH4NFHA / IMH4AFRADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) (5) VCEO50V (4) (4) (1) (1) (2) (2) IC(MAX.)100mA (3) (3) R110kWEMH4 UMH4N EMH4FHA UMH4NFHA(SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6(4)

 ..2. Size:1223K  rohm
emh4fha umh4nfha.pdf

EMH4FHA
EMH4FHA

EMH4 / UMH4N / IMH4AEMH4FHA / UMH4NFHA / IMH4AFRADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) (5) VCEO50V (4) (4) (1) (1) (2) (2) IC(MAX.)100mA (3) (3) R110kWEMH4 UMH4N EMH4FHA UMH4NFHA(SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6(4)

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top