EMH4FHA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMH4FHA

Маркировка: H4

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMH4FHA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMH4FHA даташит

 ..1. Size:1263K  rohm
 emh4fha umh4nfha imh4afra.pdf pdf_icon

EMH4FHA

EMH4 / UMH4N / IMH4A EMH4FHA / UMH4NFHA / IMH4AFRA Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCEO 50V (4) (4) (1) (1) (2) (2) IC(MAX.) 100mA (3) (3) R1 10kW EMH4 UMH4N EMH4FHA UMH4NFHA (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6 (4)

 ..2. Size:1223K  rohm
 emh4fha umh4nfha.pdf pdf_icon

EMH4FHA

EMH4 / UMH4N / IMH4A EMH4FHA / UMH4NFHA / IMH4AFRA Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCEO 50V (4) (4) (1) (1) (2) (2) IC(MAX.) 100mA (3) (3) R1 10kW EMH4 UMH4N EMH4FHA UMH4NFHA (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6 (4)

Другие транзисторы: EMH15FHA, EMH1FHA, EMH2, EMH25, EMH2FHA, EMH3, EMH3FHA, EMH4, MJE340, EMH51, EMH52, EMH53, EMH59, EMH6, EMH60, EMH61, EMH6FHA