EMH52 Todos los transistores

 

EMH52 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EMH52
   Código: H52
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SC-107C
 

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EMH52 Datasheet (PDF)

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EMH52

EMH52DatasheetComplex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlinelParameter DTr1 and DTr2 EMT6VCC50VIC(MAX.)100mA R147kEMH52R2 (SC-107C) 47k lFeatures lInner circuitl l1) Two DTC044E chips in a EMT6 package.2) Transister elements are independent, eliminating

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History: 2N6318 | TEC9013F

 

 
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