EMH52 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMH52

Маркировка: H52

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMH52

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMH52 даташит

 ..1. Size:673K  rohm
 emh52.pdf pdf_icon

EMH52

EMH52 Datasheet Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter DTr1 and DTr2 EMT6 VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 47k EMH52 R2 (SC-107C) 47k lFeatures lInner circuit l l 1) Two DTC044E chips in a EMT6 package. 2) Transister elements are independent, eliminating

Другие транзисторы: EMH2, EMH25, EMH2FHA, EMH3, EMH3FHA, EMH4, EMH4FHA, EMH51, BD335, EMH53, EMH59, EMH6, EMH60, EMH61, EMH6FHA, EMH75, EMH9