Справочник транзисторов. EMH52

 

Биполярный транзистор EMH52 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: EMH52
   Маркировка: H52
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SC-107C
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

EMH52 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:673K  rohm
emh52.pdfpdf_icon

EMH52

EMH52DatasheetComplex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlinelParameter DTr1 and DTr2 EMT6VCC50VIC(MAX.)100mA R147kEMH52R2 (SC-107C) 47k lFeatures lInner circuitl l1) Two DTC044E chips in a EMT6 package.2) Transister elements are independent, eliminating

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: PN4142 | SGSIF444 | 40897 | 3DD13007MD | EMD5DXV6 | MRF894

 

 
Back to Top

 


 
.