HBA114ES6R Todos los transistores

 

HBA114ES6R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HBA114ES6R
   Código: 8A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: SOT-363R
 

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HBA114ES6R Datasheet (PDF)

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HBA114ES6R

Spec. No. : C252S6R Issued Date : 2003.05.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.02.21 Page No. : 1/6 Dual PNP Digital Transistors HBA114ES6R Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isol

 8.1. Size:234K  cystek
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HBA114ES6R

Spec. No. : C254S6R Issued Date : 2003.05.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.02.21 Page No. : 1/6 Dual PNP Digital Transistors HBA114TS6R Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isol

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History: 2N5272 | HUN2231

 

 
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