HBA114ES6R Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HBA114ES6R

Código: 8A

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: SOT-363R

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HBA114ES6R datasheet

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HBA114ES6R

Spec. No. C252S6R Issued Date 2003.05.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.02.21 Page No. 1/6 Dual PNP Digital Transistors HBA114ES6R Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isol

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HBA114ES6R

Spec. No. C254S6R Issued Date 2003.05.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.02.21 Page No. 1/6 Dual PNP Digital Transistors HBA114TS6R Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isol

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