Справочник транзисторов. HBA114ES6R

 

Биполярный транзистор HBA114ES6R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: HBA114ES6R
   Маркировка: 8A
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT-363R

 Аналоги (замена) для HBA114ES6R

 

 

HBA114ES6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  cystek
hba114es6r.pdf

HBA114ES6R
HBA114ES6R

Spec. No. : C252S6R Issued Date : 2003.05.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.02.21 Page No. : 1/6 Dual PNP Digital Transistors HBA114ES6R Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isol

 8.1. Size:234K  cystek
hba114ts6r.pdf

HBA114ES6R
HBA114ES6R

Spec. No. : C254S6R Issued Date : 2003.05.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.02.21 Page No. : 1/6 Dual PNP Digital Transistors HBA114TS6R Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isol

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: ZTX3709K

 

 
Back to Top