HBA114ES6R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HBA114ES6R

Маркировка: 8A

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT-363R

 Аналоги (замена) для HBA114ES6R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBA114ES6R даташит

 ..1. Size:237K  cystek
 hba114es6r.pdf pdf_icon

HBA114ES6R

Spec. No. C252S6R Issued Date 2003.05.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.02.21 Page No. 1/6 Dual PNP Digital Transistors HBA114ES6R Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isol

 8.1. Size:234K  cystek
 hba114ts6r.pdf pdf_icon

HBA114ES6R

Spec. No. C254S6R Issued Date 2003.05.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.02.21 Page No. 1/6 Dual PNP Digital Transistors HBA114TS6R Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isol

Другие транзисторы: GN4F4Z, GN4L3M, GN4L3N, GN4L3Z, GN4L4K, GN4L4L, GN4L4M, GN4L4Z, MJE340, HBA114TS6R, HBA143ES6R, HBA143TS6R, HBA143ZS6R, HBA144ES6R, HBC114ES6R, HBC114TS6R, HBC114YC6