HD1F2Q Todos los transistores

 

HD1F2Q . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HD1F2Q
   Código: LU
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 0.22 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 2.2 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT89

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HD1F2Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:514K  renesas
 hd1a3m hd1a4a hd1a4m hd1f2q hd1f3p hd1l2q hd1l3n.pdf

HD1F2Q HD1F2Q

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History: BUP51 | 2SD366 | 2SD2386A | KSD5075T

 

 
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