Справочник транзисторов. HD1F2Q

 

Биполярный транзистор HD1F2Q Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HD1F2Q
   Маркировка: LU
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 0.22 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT89
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

HD1F2Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:514K  renesas
 hd1a3m hd1a4a hd1a4m hd1f2q hd1f3p hd1l2q hd1l3n.pdf pdf_icon

HD1F2Q

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BFS91A | TN3467

 

 
Back to Top

 


 
.