LDTBG12GPT1G Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LDTBG12GPT1G

Código: Q8

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 22 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.045

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 300

Encapsulados: SOT-23

 Búsqueda de reemplazo de LDTBG12GPT1G

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

LDTBG12GPT1G datasheet

 ..1. Size:386K  lrc
 ldtbg12gpt1g.pdf pdf_icon

LDTBG12GPT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistor PNP Silicon Surface Mount Transistor LDTBG12GPT1G with Monolithic Bias Resistor Network Applications Driver 3 Features 1) High hFE. 1 300 (Min.) (VCE / IC=2V / 0.5A) 2) Low saturation voltage, 2 (VCE(sat)=0.4V at IC / IB=500mA / 5mA) SOT-23 3) Built-in zener diode gives strong protection against reverse surge by L- l

Otros transistores... LDTB114EET1G, LDTB114GKT1G, LDTB114TKT1G, LDTB123EET1G, LDTB123TET1G, LDTB123YET1G, LDTB143EET1G, LDTB143TKT1G, TIP122, LDTC113ZET1G, LDTC114EET1G, LDTC114EM3T5G, LDTC114GET1G, LDTC114TET1G, LDTC114TM3T5G, LDTC114WET1G, LDTC114YET1G