LDTBG12GPT1G Todos los transistores

 

LDTBG12GPT1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LDTBG12GPT1G
   Código: Q8
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 22 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.045

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 300
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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LDTBG12GPT1G Datasheet (PDF)

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LDTBG12GPT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Bias Resistor TransistorPNP Silicon Surface Mount TransistorLDTBG12GPT1Gwith Monolithic Bias Resistor Network Applications Driver 3 Features 1) High hFE. 1300 (Min.) (VCE / IC=2V / 0.5A) 2) Low saturation voltage, 2(VCE(sat)=0.4V at IC / IB=500mA / 5mA) SOT-233) Built-in zener diode gives strong protection against reverse surge by L- l

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History: 2N782 | GC515 | BLW68

 

 
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