LDTBG12GPT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LDTBG12GPT1G

Маркировка: Q8

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.045

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для LDTBG12GPT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LDTBG12GPT1G даташит

 ..1. Size:386K  lrc
 ldtbg12gpt1g.pdf pdf_icon

LDTBG12GPT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistor PNP Silicon Surface Mount Transistor LDTBG12GPT1G with Monolithic Bias Resistor Network Applications Driver 3 Features 1) High hFE. 1 300 (Min.) (VCE / IC=2V / 0.5A) 2) Low saturation voltage, 2 (VCE(sat)=0.4V at IC / IB=500mA / 5mA) SOT-23 3) Built-in zener diode gives strong protection against reverse surge by L- l

Другие транзисторы: LDTB114EET1G, LDTB114GKT1G, LDTB114TKT1G, LDTB123EET1G, LDTB123TET1G, LDTB123YET1G, LDTB143EET1G, LDTB143TKT1G, TIP122, LDTC113ZET1G, LDTC114EET1G, LDTC114EM3T5G, LDTC114GET1G, LDTC114TET1G, LDTC114TM3T5G, LDTC114WET1G, LDTC114YET1G