Справочник транзисторов. LDTBG12GPT1G

 

Биполярный транзистор LDTBG12GPT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: LDTBG12GPT1G
   Маркировка: Q8
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.045
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для LDTBG12GPT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LDTBG12GPT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:386K  lrc
 ldtbg12gpt1g.pdf pdf_icon

LDTBG12GPT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Bias Resistor TransistorPNP Silicon Surface Mount TransistorLDTBG12GPT1Gwith Monolithic Bias Resistor Network Applications Driver 3 Features 1) High hFE. 1300 (Min.) (VCE / IC=2V / 0.5A) 2) Low saturation voltage, 2(VCE(sat)=0.4V at IC / IB=500mA / 5mA) SOT-233) Built-in zener diode gives strong protection against reverse surge by L- l

Другие транзисторы... LDTB114EET1G , LDTB114GKT1G , LDTB114TKT1G , LDTB123EET1G , LDTB123TET1G , LDTB123YET1G , LDTB143EET1G , LDTB143TKT1G , 2SA1943 , LDTC113ZET1G , LDTC114EET1G , LDTC114EM3T5G , LDTC114GET1G , LDTC114TET1G , LDTC114TM3T5G , LDTC114WET1G , LDTC114YET1G .

History: BDX11-6 | TN3704 | 2SA1518 | KTC3199M | D45VM7 | UNR111E | BC857BM

 

 
Back to Top

 


 
.