LDTDG12GPT1G Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LDTDG12GPT1G

Código: Q7

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 22 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.045

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 300

Encapsulados: SC-89

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LDTDG12GPT1G datasheet

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LDTDG12GPT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor LDTDG12GPT1G with Monolithic Bias Resistor Network Applications Driver 3 Features 1) High hFE. 300 (Min.) (VCE / IC=2V / 0.5A) 1 2) Low saturation voltage, 2 (VCE(sat)=0.4V at IC / IB=500mA / 5mA) SC-89 3) Built-in zener diode gives strong protection against reverse surge by L- lo

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