LDTDG12GPT1G Todos los transistores

 

LDTDG12GPT1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LDTDG12GPT1G
   Código: Q7
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 22 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.045

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 300
   Paquete / Cubierta: SC-89
 

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LDTDG12GPT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:306K  lrc
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LDTDG12GPT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Bias Resistor TransistorNPN Silicon Surface Mount TransistorLDTDG12GPT1Gwith Monolithic Bias Resistor Network Applications Driver 3 Features 1) High hFE. 300 (Min.) (VCE / IC=2V / 0.5A) 12) Low saturation voltage, 2(VCE(sat)=0.4V at IC / IB=500mA / 5mA) SC-893) Built-in zener diode gives strong protection against reverse surge by L- lo

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History: 2SB371 | BF140A

 

 
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