LDTDG12GPT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LDTDG12GPT1G

Маркировка: Q7

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.045

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: SC-89

 Аналоги (замена) для LDTDG12GPT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LDTDG12GPT1G даташит

 ..1. Size:306K  lrc
 ldtdg12gpt1g.pdf pdf_icon

LDTDG12GPT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor LDTDG12GPT1G with Monolithic Bias Resistor Network Applications Driver 3 Features 1) High hFE. 300 (Min.) (VCE / IC=2V / 0.5A) 1 2) Low saturation voltage, 2 (VCE(sat)=0.4V at IC / IB=500mA / 5mA) SC-89 3) Built-in zener diode gives strong protection against reverse surge by L- lo

Другие транзисторы: LDTD113ZET1G, LDTD114EET1G, LDTD114GKT1G, LDTD123EET1G, LDTD123TET1G, LDTD123YET1G, LDTD143EET1G, LDTD143TKT1G, D209L, LMUN2111LT1G, LMUN2112LT1G, LMUN2113LT1G, LMUN2114LT1G, LMUN2115LT1G, LMUN2116LT1G, LMUN2130LT1G, LMUN2131LT1G