Справочник транзисторов. LDTDG12GPT1G

 

Биполярный транзистор LDTDG12GPT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: LDTDG12GPT1G
   Маркировка: Q7
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.045
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SC-89
 

 Аналог (замена) для LDTDG12GPT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LDTDG12GPT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:306K  lrc
 ldtdg12gpt1g.pdf pdf_icon

LDTDG12GPT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Bias Resistor TransistorNPN Silicon Surface Mount TransistorLDTDG12GPT1Gwith Monolithic Bias Resistor Network Applications Driver 3 Features 1) High hFE. 300 (Min.) (VCE / IC=2V / 0.5A) 12) Low saturation voltage, 2(VCE(sat)=0.4V at IC / IB=500mA / 5mA) SC-893) Built-in zener diode gives strong protection against reverse surge by L- lo

Другие транзисторы... LDTD113ZET1G , LDTD114EET1G , LDTD114GKT1G , LDTD123EET1G , LDTD123TET1G , LDTD123YET1G , LDTD143EET1G , LDTD143TKT1G , BC556 , LMUN2111LT1G , LMUN2112LT1G , LMUN2113LT1G , LMUN2114LT1G , LMUN2115LT1G , LMUN2116LT1G , LMUN2130LT1G , LMUN2131LT1G .

History: 2N1853 | H639 | 8550QLT1

 

 
Back to Top

 


 
.