LRX102UT1G Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LRX102UT1G
Código: BM
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 200 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 80
Encapsulados: SOT-353
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LRX102UT1G datasheet
lrx102ut1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR LRX102UT1G S-LRX102UT1G Features Including two devices in USV. (UltraSuperminitypewith5leads.) With Built-in bias resistors. Simplify circuit design. SC-88A/SOT-353 Reduce a quantity of parts and manufacturing process. We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. EQUIVALENT CIRC
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History: PBSS304PX | FX5131
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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