LRX102UT1G Todos los transistores

 

LRX102UT1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LRX102UT1G
   Código: BM
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SOT-353
 

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LRX102UT1G Datasheet (PDF)

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LRX102UT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.EPITAXIAL PLANARNPN/PNP TRANSISTORLRX102UT1GS-LRX102UT1GFeatures Including two devices in USV.(UltraSuperminitypewith5leads.) With Built-in bias resistors. Simplify circuit design.SC-88A/SOT-353 Reduce a quantity of parts and manufacturing process. We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.EQUIVALENT CIRC

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History: 2SA509Y | KSA992 | 2SD1010 | FMMT5550R

 

 
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