Справочник транзисторов. LRX102UT1G

 

Биполярный транзистор LRX102UT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: LRX102UT1G
   Маркировка: BM
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT-353

 Аналоги (замена) для LRX102UT1G

 

 

LRX102UT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:485K  lrc
lrx102ut1g.pdf

LRX102UT1G LRX102UT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.EPITAXIAL PLANARNPN/PNP TRANSISTORLRX102UT1GS-LRX102UT1GFeatures Including two devices in USV.(UltraSuperminitypewith5leads.) With Built-in bias resistors. Simplify circuit design.SC-88A/SOT-353 Reduce a quantity of parts and manufacturing process. We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.EQUIVALENT CIRC

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top