Справочник транзисторов. LRX102UT1G

 

Биполярный транзистор LRX102UT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: LRX102UT1G
   Маркировка: BM
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT-353
 

 Аналог (замена) для LRX102UT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LRX102UT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:485K  lrc
 lrx102ut1g.pdf pdf_icon

LRX102UT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.EPITAXIAL PLANARNPN/PNP TRANSISTORLRX102UT1GS-LRX102UT1GFeatures Including two devices in USV.(UltraSuperminitypewith5leads.) With Built-in bias resistors. Simplify circuit design.SC-88A/SOT-353 Reduce a quantity of parts and manufacturing process. We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.EQUIVALENT CIRC

Другие транзисторы... LMUN5233T1G , LMUN5234DW1T1G , LMUN5234T1G , LMUN5235DW1T1G , LMUN5235T1G , LMUN5236DW1T1G , LMUN5237DW1T1G , LMUN5237T1G , D209L , LUMA5NT1G , LUMC3NT1G , LUMF23NDW1T1G , LUMG10NT1G , LUMG2NT1G , LUMG3NT1G , EMA8 , KSR1201 .

History: MP1543 | BD313 | 2SC3203 | 2SC2613K | ECG235 | 2SB1016O | KTB817B

 

 
Back to Top

 


 
.