Биполярный транзистор LRX102UT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: LRX102UT1G
Маркировка: BM
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SOT-353
Аналоги (замена) для LRX102UT1G
LRX102UT1G Datasheet (PDF)
..1. Size:485K lrc
lrx102ut1g.pdf
lrx102ut1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.EPITAXIAL PLANARNPN/PNP TRANSISTORLRX102UT1GS-LRX102UT1GFeatures Including two devices in USV.(UltraSuperminitypewith5leads.) With Built-in bias resistors. Simplify circuit design.SC-88A/SOT-353 Reduce a quantity of parts and manufacturing process. We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.EQUIVALENT CIRC
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050