LRX102UT1G - описание и поиск аналогов

 

LRX102UT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LRX102UT1G

Маркировка: BM

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT-353

 Аналоги (замена) для LRX102UT1G

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LRX102UT1G даташит

 ..1. Size:485K  lrc
 lrx102ut1g.pdf pdf_icon

LRX102UT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR LRX102UT1G S-LRX102UT1G Features Including two devices in USV. (UltraSuperminitypewith5leads.) With Built-in bias resistors. Simplify circuit design. SC-88A/SOT-353 Reduce a quantity of parts and manufacturing process. We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. EQUIVALENT CIRC

Другие транзисторы... LMUN5233T1G , LMUN5234DW1T1G , LMUN5234T1G , LMUN5235DW1T1G , LMUN5235T1G , LMUN5236DW1T1G , LMUN5237DW1T1G , LMUN5237T1G , 8550 , LUMA5NT1G , LUMC3NT1G , LUMF23NDW1T1G , LUMG10NT1G , LUMG2NT1G , LUMG3NT1G , EMA8 , KSR1201 .

History: D6

 

 

 


 
↑ Back to Top
.