LUMG10NT1G Todos los transistores

 

LUMG10NT1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LUMG10NT1G
   Código: N2
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 33
   Paquete / Cubierta: SC-88A
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

LUMG10NT1G Datasheet (PDF)

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LUMG10NT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Dual NPN Digital Transistor Pb-Free Package is Available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique SiteLUMG10NT1Gand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LUMG10NT1GOrdering InformationDevice Marking ShippingLUMG10NT1G3000/Tape&ReelN2S-LUMG10NT1GLUMG10NT3G10000/Tape&ReelN2S-LUMG10NT3G

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
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