LUMG10NT1G Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LUMG10NT1G
Código: N2
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 250 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 33
Encapsulados: SC-88A
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LUMG10NT1G datasheet
lumg10nt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Dual NPN Digital Transistor Pb-Free Package is Available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site LUMG10NT1G and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LUMG10NT1G Ordering Information Device Marking Shipping LUMG10NT1G 3000/Tape&Reel N2 S-LUMG10NT1G LUMG10NT3G 10000/Tape&Reel N2 S-LUMG10NT3G
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History: PBSS304PX | BC849BF
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Liste
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