LUMG10NT1G Todos los transistores

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LUMG10NT1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LUMG10NT1G

Código: N2

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 33

Empaquetado / Estuche: SC-88A

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LUMG10NT1G Datasheet (PDF)

1.1. lumg10nt1g.pdf Size:194K _lrc

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Dual NPN Digital Transistor Pb-Free Package is Available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site LUMG10NT1G and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LUMG10NT1G Ordering Information Device Marking Shipping LUMG10NT1G 3000/Tape&Reel N2 S-LUMG10NT1G LUMG10NT3G 10000/Tape&Reel N2 S-LUMG10NT3G

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