LUMG10NT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LUMG10NT1G

Маркировка: N2

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 33

Корпус транзистора: SC-88A

 Аналоги (замена) для LUMG10NT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LUMG10NT1G даташит

 ..1. Size:194K  lrc
 lumg10nt1g.pdf pdf_icon

LUMG10NT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Dual NPN Digital Transistor Pb-Free Package is Available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site LUMG10NT1G and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LUMG10NT1G Ordering Information Device Marking Shipping LUMG10NT1G 3000/Tape&Reel N2 S-LUMG10NT1G LUMG10NT3G 10000/Tape&Reel N2 S-LUMG10NT3G

Другие транзисторы: LMUN5235T1G, LMUN5236DW1T1G, LMUN5237DW1T1G, LMUN5237T1G, LRX102UT1G, LUMA5NT1G, LUMC3NT1G, LUMF23NDW1T1G, 2SC945, LUMG2NT1G, LUMG3NT1G, EMA8, KSR1201, KSR1202, KSR1203, KSR1204, KSR1205